中国长鑫存储（CXMT）取得突破，宣布今年内实现新一代DRAM（动态随机存取记忆体）技术4F²（4F Square） 商业化，引发市场关注，且消息造成三星电子及SK海力士股价相继下跌。世界首富马斯克（Elon Musk）也发声，直言一旦中国掌握特定产品的制造技术，其规模化量产能力往往会超越全世界其余地区的总和。

长鑫存储的新消息引发不少韩媒关注，《朝鲜日报》报道，DRAM由数十亿个用于存储数据的基本单元组成，其单元结构的最小线宽被称为特征尺寸（Feature Size）。新技术最大优势在于无需将电路做得更微细，就能在相同面积的半导体上增加最多50%的单元数量，这不仅能在同等大小的芯片上存储更多数据，或者制造出相同容量但体积更小的芯片，以及增加每张晶圆产出的芯片数量。

消息一出，引发韩国半导体企业竞争力优势将消失的危机论，虽然对于长鑫是否有能力将该计划完全实现尚未得到认证，但报道指，韩国半导体业的繁荣期可能提前结束的机会扩大。

与此同时，韩国和美国的代表性半导体企业股价相继下挫，三星电子13日跌7.39%，SK海力士也跌10.09%，而美国美光亦同样出现下跌。

特斯拉（Tesla）创办人马斯克于社交平台警告，对中国市场记忆体追赶速度提高产生疑虑，表示在中国掌握如何制造某种产品时，其大规模生产能力亦会提升至全世界生产的总和。

他提及中国在锂电池与太阳能领域的发展，表示虽然SpaceX在火箭运载重量方面领先全球，但中国却承担SpaceX以外大部份太空运载量。

他亦表示中国在目前及下一代低功耗双倍资料率（LPDDR5、LPDDR6）的技术方面快速追赶，但堆叠式高频宽记忆体（HBM）这类新芯片架构“将更难解决”。