储存芯片市场，中国生产商长江储存冒起，势干预行业供需。业界两大龙头三星电子和SK海力士据报拟升级在华芯片厂，生产更先进的储存芯片作应对，

两间大厂证实消息，并就相关计划与美国政府密切磋商。

路透引述知情人士透露，这两家公司正致力于在其中国工厂生产层数超过200层的NAND快闪记忆体芯片；这些工厂目前所生产的产品，其技术水准尚不及在韩国生产的芯片。NAND是一种在断电后仍能保留资料的储存芯片，广泛应用于智慧型手机、个人电脑以及人工智慧（AI）资料中心的固态硬碟中。芯片的层数越多，代表储存密度越高，成本也越低。

知情人士透露，三星计划在2027年将西安工厂的生产转向286层快闪记忆体芯片，而SK海力士计划在其大连工厂生产层数在240层及以上的芯片。

知情人士又透露，SK海力士可能会寻求美国批准，以便在大连进行更先进技术的研发工作。