绕开荷兰巨头ASML 中国首台纳米压印光刻机交付 制造成本降9成

撰文: 卢诗文
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6月8日,杭州璞璘科技近日向深圳力策科技正式交付型号为PL-AS的半导体级真空气压式纳米压印光刻机。据悉该设备是首款光芯片专用纳米压印光刻设备,全程绕开ASML深紫外光刻(DUV)路线,实现8英寸光芯片晶圆规模化量产。

PL-AS半导体级真空气压式纳米压印机。(璞璘科技)

国产纳米压印技术完全绕开ASML深紫外光刻路线

据《快科技》报道,成立于2017年的杭州璞璘科技(Prinano),创始人葛海雄师从纳米压印技术先驱、美国工程院院士周郁。2025年8月,该公司已交付中国首台半导体级纳米压印光刻设备。

璞璘科技董事长、南京大学教授葛海雄(新一代半导体制程工艺技术论坛)

公开资料显示,纳米压印技术由美国国家工程院院士、华裔科学家周郁(Stephen Y. Chou)教授于1995年首创。彼时传统DUV光刻遭遇100nm解像度硬性技术瓶颈,周郁提出基于高分子模压工艺的微纳制造方案,突破光学衍射极限,实现10nm以下超高解像度结构加工,成为全球公认的下一代微纳制造核心技术。

PL-AS半导体级真空气压式纳米压印机。(璞璘科技)

据了解,璞璘科技本次交付的自主研发的真空气压式纳米压印方案,完全绕开传统ASML 的DUV光刻路线,并将光芯片制造成本压缩至DUV方案的十分之一。据悉,荷兰半导体设备巨头ASML(艾司摩尔)在DUV微影设备市场具备统治级地位,全球市占率高达9成以上。

荷兰半导体设备巨头ASML(艾司摩尔)在深紫外光(DUV)微影设备市场具备统治级地位,全球市占率高达9成以上。(ASML官网)

目前,该技术已在多个光芯片领域实现量产验证,这些光芯片广泛应用于光通信、传感和激光雷达领域。

此次量产突破的核心是璞璘科技自主研发的PL-AS真空气压式晶圆级纳米压印光刻设备,配合定制化双层压印胶材料体系与核心工艺,采用“空气垫”式面接触压印原理,能将晶圆整面压力均匀性误差控制在0.5%以内,残余层厚度偏差小于2nm,同时支持硬质与柔性模板,线宽解像度可达10nm以下。

12寸晶圆光芯片压印展示。(璞璘科技)

本次深度合作的深圳力策科技,是全球首家即将实现OPA纯固态激光雷达量产的企业,其激光雷达产品已通过莱茵权威认证,成功斩获广汽、上汽等主流车企整车定点订单,已陆续量产交付。依托璞璘科技PL-AS纳米压印设备,力策科技顺利实现激光雷达芯片的规模化制备,高精度、低成本的新工艺。

深圳力策科技公司生产的各类激光雷达(力策官网)

相关技术量产规模、良率尚未得到充分验证

值得注意的是,行业对于纳米压印技术的实际价值仍存在广泛争议。研究机构SemiAnalysis表示,尽管纳米压印设备本身成本更低,但其实际成本优势取决于产能、模板生产、缺陷率和工艺集成水平,短期内难以替代DUV和EUV在先进逻辑芯片制造中的主导地位。

纳米压印光刻技术量产激光雷达芯片展示。(璞璘科技)

此外,早在2025年8月璞璘科技就交付中国首台半导体级纳米压印光刻设备,但目前未披露具体的生产良率、出货量、客户订单及独立验证数据,其商业化规模仍有待进一步观察。