瑞银集团分析师预计，中国半导体制造能力未来十年内可能仍难取得足够进展，以开发出可替代阿斯麦（ASML，又译艾司摩尔）尖端极紫外光刻（EUV）技术的可行方案。

据彭博社报道，瑞银分析师在一份报告中写道：“它们（中国）目前的发展阶段，似乎与阿斯麦2004年时相近。”

北京一直向国内芯片产业投入国家资本，以实现自给自足。不过，美国主导的尖端芯片制造设备出口限制，阻碍了这一进程。

总部位于荷兰的阿斯麦，是全球唯一一家生产先进光刻机的厂商，这类设备对于制造先进半导体至关重要。中国是阿斯麦的主要市场之一，但这家芯片设备巨头被禁止向中国出售极紫外光刻设备。

瑞银分析师根据专利活动，尤其是光源和激光子系统方面的专利判断，中国目前的技术成熟度与阿斯麦开始量产极紫外光刻设备前15年时相当。

分析师说：

考虑到中国光刻设备在良率和吞吐量方面可能与阿斯麦存在差距，加上监管限制，我们认为中国光刻设备不太可能在中国境外投入使用。

尽管如此，瑞银预计，中国将在两到五年内具备大规模制造浸没式深紫外（DUV）光刻机的能力。虽然浸没式深紫外光刻机不如极紫外系统先进，但仍是芯片制造的关键设备，通过光线将复杂的电路图案印制到硅晶圆上。

彭博社报道，阿斯麦的浸没式深紫外光刻机售价接近9000万美元。相比之下，先进的极紫外光刻设备每台售价超过2亿美元。

此前，路透社7月28日引述消息人士证实中国开始生产国产DUV，并点名仅创立三年的上海爱晟纳电子科技集团，在整合来自中国顶尖光刻初创公司的团队后，正领导生产工作。

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