中国先进制程自给率2035年料升至66% 高盛:中芯国际将持续扩产

撰文: 许祺安
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高盛近期发布报告指出,中国7纳米及以下先进制程晶圆的自给率,预计将由2025年的8%,大幅升至2035年的66%。在生成式人工智能需求及半导体国产化推动下,中国先进制程供应增速,未来十年将明显高于市场需求增长。

内地科技媒体“芯智讯”报道,高盛预计,2025年至2035年间,中国7纳米及以下先进制程晶圆供应量将以年均46%的速度增长,显著高于同期需求年均17%的增幅。

其中,在生成式人工智能热潮带动下,用于AI伺服器的先进制程晶圆需求,年均增长率预计达42%。至2035年,中国先进制程晶圆的每月需求量将增至61.9万片,本土供应量则有望达到每月41万片,自给率届时将升至66%。

报告指出,这部分供应增长将主要由中芯国际推动,高盛预计,中芯国际在2026年至2031年间,每年将新增每月3万至5万片晶圆产能,先进制程良率亦有望由2026年的23%,逐步提升至2035年的75%。

中芯国际在先进制程上正在加快追赶步伐。(视觉中国)

同时,随着人工智能应用持续扩大,AI运算需求预计将由训练端逐渐转向推理端。按照高盛的基准情境估算,中国AI芯片总潜在市场规模至2030年将达6776亿美元,其中推理需求约为4735亿美元,相当于训练需求的约2.3倍。

在各类推理需求中,处理复杂AI代理任务将成为最大的单一需求来源。高盛预计,在基准情境下,复杂AI代理任务约占整体推理需求的90%。

高盛同时将中国半导体产业2030年的资本开支预测上调至820亿美元,较一年前的预测大幅提高79%,主要原因是生成式人工智能带来强劲需求,以及中国半导体国产化进程全面推进。

另在记忆体芯片方面,高盛预计,至2028年,长鑫存储将可满足中国约50%的DRAM需求,以及40%的高频宽记忆体(HBM)需求。

不过,由于先进晶圆制造设备供应受限,长鑫存储与全球主要记忆体芯片供应商之间,仍存在约两至三个世代的技术差距,且短期内不太可能明显收窄。因此,中国相当一部分DRAM需求仍须依赖海外供应商,三星电子及SK海力士在中国市场仍有相当大的发展机会。晶圆制造设备方面,报告预计,中国本土设备商的营收占比将由2026年的31%,提高至2028年的38%。